首先，青电千亿构建带有属性标注的材料片段模型（PLMF）：将材料的晶体结构分解为相互关联的拓扑片段，表示结构的连通性。

[21]（3）引入固有缺陷类似于异质原子掺杂，入豫创造缺陷，比如氧空位，能够调控金属氧化物的电子结构。特高(E)2D,E-2D和离子交换和退火后的F-2D的光电流密度。

(B)(a)中无晶面取向的球形光催化剂，压工元(b)有晶面取向，(c)在特定晶面选择性沉积助催化剂的光催化剂中内建电场驱动电荷分离示意图。何带货超中空结构的高表面积也有利于表面反应。氧空位可以通过光电极在一个还原或缺氧的环境下经过后处理来实现，青电千亿这种方式通常不会影响暴露的晶面。

其中正电荷耗尽层(即，入豫空间电荷区，在半导体中形成宽度为W的SCR)，在电解质中形成带负电荷的Helmholtz层，导致能带向上弯曲。[2]2晶面对光电化学水解的影响机制一般来说，特高在半导体中，特高人们可以通过选择性控制晶体生长过程中不同方向的成核和生长速率来制备暴露的晶面，也称为自下向上路线。

压工元(b)完整的和刻蚀的TiO2表面载流子捕获示意图。

需要指出的是，何带货超晶体表面工程并不能解决半导体晶体的所有固有劣势。右键→RangetoSubset，青电千亿便生成相应衬度范围内的子集。

入豫其中相界和晶界也都是拖入相应的位置。图5晶界的设定3）某些图的数据统计在Tango程序中，特高如BC图，SchmidFactor图等都需要对相应数据做统计。

压工元相应点击的按钮皆已标明。另外，何带货超在右边的对话框中，单击右键可以输出Excel的表格，里面包含全部晶粒的信息。